傳統(tǒng)濕法清洗與常壓等離子清洗的主要區(qū)別在哪？常壓等離子清洗的優(yōu)勢點又在哪？

集成電路制造初期，由于工藝簡單、光刻尺寸寬、集成度不高，設(shè)備發(fā)展的水平有限，因此采用化學(xué)清洗方法也稱為濕法清洗，例如：用硫酸，雙氧水去除硅片表面金屬和有機物;用鹽酸/雙氧水去除硅片表面的金屬；用氫氧化氨/雙氧水/水去除硅片表面的顆粒和有機物；用氫氟酸/水可漂洗掉硅片表面的自然氧化層等等。濕法清洗是傳統(tǒng)的清洗方法，目前仍是制造廠里的清洗手段。但是濕法清洗存在許多的缺點；例如（1）不能精確控制；（2）清洗不徹底，需反復(fù)清洗；（3）容易引人新的雜質(zhì)；（4）對殘余物不能處理；（5）污染環(huán)境，需對廢液進行處理；（6）消耗大量的酸和水（一個生產(chǎn)300mm芯片的電子工廠每天消耗4000t水20000L質(zhì)量分?jǐn)?shù)為95%的硫酸和5000L質(zhì)量分?jǐn)?shù)為49%的氫氟酸）等等。隨著進入0.18um的制造工藝，在集成度高的關(guān)鍵工藝中液體很難有效地清洗亞微米結(jié)構(gòu)器件，還有制造過程中所需要的進一步的表面改性工藝。這些都是濕法清洗工藝所不及的。

近些年來，人們開始用干法真空等離子刻蝕機來清洗光刻膠，其原理是利用等離子體中的活性氧基團與光刻膠反應(yīng)生成二氧化碳和水，也可以利用等離子體中所存在的大量電子和離子對表面進行修飾的作用，來改變基底表面的浸潤性和粗糙度。等離子體清洗過程是綠色的干法過程，可以節(jié)省大量的水資源和硫酸，工藝過程是綠色和環(huán)保的。但是過去人們常用的是低氣壓等離子體，所產(chǎn)生的低溫均勻冷等離子體必須是在真空室里產(chǎn)生，這種設(shè)備費用運行高，操作受空間限制 ，難以實現(xiàn)大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)。隨著常壓冷等離子體技術(shù)的突破，尤其是大面積常壓射頻低溫冷等離子體技術(shù)的出現(xiàn)，為微電子工業(yè)的干法清洗帶來了更加快速和簡便的清洗手段。