COB/COF/COG

隨著智能手機(jī)的飛速發(fā)展，人們對(duì)手機(jī)攝像頭像素的要求越來(lái)越高，如今用傳統(tǒng)的CSP封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組像素已達(dá)不到人們的需求，而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組已被大量的運(yùn)用到了現(xiàn)在的千萬(wàn)像素的手機(jī)中，但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右，而造成的手機(jī)良率不高的原因主要在于離心清洗機(jī)和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物，致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問(wèn)題，經(jīng)等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機(jī)污染物和活化基材，使其與IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，極大的提升了banding的一次成功率。

半導(dǎo)體硅片（Wafer）

在IC芯片制造領(lǐng)域中，等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達(dá)到的：在晶元表面去除氧化膜、有機(jī)物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤(rùn)性。