在氧等離子體中對(duì)硅蒸汽進(jìn)行氧化處理，可得到SiOx。陽(yáng)極電弧工藝使用消耗性硅金屬，硅金屬置于熔爐內(nèi)作為真空電弧的陽(yáng)極。如果在金屬陰極和上述熔爐之間施加一個(gè)20~30V的直流電壓，只要在陰極前存在蒸汽團(tuán)，就會(huì)在陰極和陽(yáng)極之間產(chǎn)生連續(xù)的電弧放電。這一放電可在真空爐體內(nèi)部產(chǎn)生高活性等離子體，這時(shí)，處于高激發(fā)狀態(tài)的硅原子被蒸發(fā)，并朝向在蒸汽云上部不斷旋轉(zhuǎn)的包裝物基底移動(dòng)。此時(shí)，如果向蒸汽中加入氧氣，則會(huì)在包裝物基底表面沉積一層SiOx。

等離子體聚合工藝是一種在基底上生成有機(jī)或無(wú)機(jī)類聚合物涂層的工藝。這一工藝屬于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝范疇。在PECVD工藝中，將所需成分的蒸汽引入等離子體，等離子體內(nèi)部的電子將分子電離或裂解為自由基。所生成的活性分子可在表面或在氣相環(huán)境中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，最后經(jīng)過(guò)沉積形成薄膜。成核過(guò)程取決于材料表面的形貌以及表面是否存在外來(lái)原子。通過(guò)上述工藝生成的致密薄膜具有疏水性，且不存在氣孔。但是，為了在短時(shí)間內(nèi)生成具備良好品質(zhì)的薄膜，工藝參數(shù)必須進(jìn)行優(yōu)化，在阻隔層應(yīng)用領(lǐng)域，尤其需要對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。通過(guò)在等離子體環(huán)境下裂解硅樹脂，可以得到有機(jī)硅薄膜。如果使硅原子與氧氣、氮?dú)饣蚱浠旌蠚怏w發(fā)生反應(yīng)，則可沉積生成二氧化硅、氧化硅或氮氧化硅薄膜。類金剛石碳薄膜的前驅(qū)反應(yīng)物采用乙炔等有機(jī)氣體。

與傳統(tǒng)CVD工藝相比，等離子脈沖化學(xué)氣相沉積（PICVD）工藝是一項(xiàng)具有很大改進(jìn)的工藝。在功率源（一般采用射頻或微波功率源）上施加脈沖信號(hào)，就可以產(chǎn)生脈沖等離子體。脈沖等離子體可允許涂覆過(guò)程中離子具有較低能量。涂層通過(guò)一系列小型處理工序逐漸增厚，最終生成一層高度致密的均勻涂層。此外，在兩次脈沖之間，可以改變反應(yīng)混合物的化學(xué)組成成分。因此，在同一次工藝運(yùn)行過(guò)程中，可以涂覆多層具備不同性能的涂層，從而生成按需定制的多涂層系統(tǒng)。PICVD工藝制備SiO2和TiO2涂層技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種塑料（如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂（PET）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸酯（PC），共聚環(huán)狀烯烴（COC）、聚丙烯（PP）和高密度聚乙烯（HDPE））的表面改性。