一、什么是Plasma(等離子)
Plasma 就是等離子(在臺(tái)灣稱為電漿),是由氣體電離后產(chǎn)生的正負(fù)帶電離子以及分子,原子和原子團(tuán)組成。只有在強(qiáng)電場作用下雪崩電離發(fā)生時(shí),plasma才會(huì)產(chǎn)生。
此外,氣體從常態(tài)到等離子的轉(zhuǎn)變,也是從絕緣體到半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變。在我們的現(xiàn)實(shí)生活中也存在plasma,比圖說熒光燈,閃電,太陽都是等離子。
二、什么是etching(刻蝕)
刻蝕是半導(dǎo)體制造、微電子IC制造以及微納制造工藝中的一個(gè)重要的步驟,是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝??涛g狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式進(jìn)行腐蝕,處理掉所需除去的部分。
圖1:刻蝕技術(shù)的分類
廣義上來講,刻蝕是通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法??涛g技術(shù)主要分為濕法刻蝕與干法刻蝕(如圖1)。 濕法刻蝕包括有:化學(xué)刻蝕和電解刻蝕;干法刻蝕有:離子束濺射刻蝕(物理作用)、等離子刻蝕(化學(xué)作用)和反應(yīng)離子刻蝕(物理化學(xué)作用)。
濕法刻蝕和干法刻蝕是兩類完全不同刻蝕方法。濕法刻蝕是使用特定的溶液與需要被刻蝕的薄膜材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),選擇性的刻蝕掉該薄膜層上未掩模的區(qū)域,比如常用的金屬離子刻蝕法就屬于濕法刻蝕。而干法刻蝕一般指等離子表面刻蝕(plasma surface etching),材料表面通過反應(yīng)氣體電離成等離子等自由基團(tuán)與材料發(fā)生反應(yīng)從而進(jìn)行選擇性地刻蝕,被刻蝕的材料轉(zhuǎn)化為氣相并被真空泵排出,處理后的材料微觀比表面積增加并具有良好親水性。
表1:濕法刻蝕和干法刻蝕性能對比
圖2:三種刻蝕類型
注:濕法刻蝕引起側(cè)蝕,使得刻蝕不能精確控制尺寸,而干法刻蝕(等離子刻蝕)則可以選擇性刻蝕??涛g類型有三種,分別是各向同性刻蝕(圖2a)、斜向刻蝕(圖2b)和垂直刻蝕/各向異性刻蝕(圖2c).
(a).各向同性刻蝕
(b).斜向刻蝕;
(c).各向同性刻蝕。
三、plasma etching?的刻蝕
1.刻蝕機(jī)理
等離子刻蝕是采用高頻輝光放電反應(yīng),使反應(yīng)氣體激活成活性粒子,如原子或游離基,這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位,在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng),形成揮發(fā)性反應(yīng)物而被去除。對硅基材料的基本刻蝕原理是用“硅-鹵”鍵代替“硅-硅”鍵,從而產(chǎn)生揮發(fā)性的硅鹵化合物??涛g硅基材料的刻蝕氣體有CF4、C2F6和SF6等。其中最常用的是CF4。CF4本身不會(huì)直接刻蝕硅。等離子中的高能電子撞擊CF4分子使之裂解成CF3、CF2、C和F,這些都是具有極強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)性的原子團(tuán)。CF4等離子對Si和SiO2有很高的刻蝕選擇比,所以很適合刻蝕SiO2上的多晶Si。(注:刻蝕選擇比S=E1/E2,表示在同一刻蝕條件下,被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比)在CF4中摻入少量的其他氣體可改變刻蝕的選擇比。摻入少量氧氣可提高對Si的刻蝕速率;摻入少量的氫氣則可提高對SiO2的刻蝕速率。
2.等離子刻蝕基本過程
氣體→離化成活性粒子→擴(kuò)散并吸附到帶刻蝕表面→表面擴(kuò)散→與表面膜反應(yīng)→產(chǎn)物解吸附→離開硅片表面并排除腔室。
圖3是等離子刻蝕系統(tǒng)的構(gòu)造圖。在低壓情況下,反應(yīng)氣體在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子,等離子是由帶電的電子和離子組成,反應(yīng)腔體重的氣體在電子的撞擊下,除了轉(zhuǎn)變成離子外,還能吸收能力并形成大量的活性基團(tuán)?;钚苑磻?yīng)基團(tuán)和被刻蝕物質(zhì)表面形成化學(xué)反應(yīng)并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物,反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,并被真空系統(tǒng)抽出腔體。以CFx反應(yīng)氣體刻蝕硅為例,下圖是等離子刻蝕反應(yīng)的原理圖及反應(yīng)方程式。
圖3:等離子刻蝕系統(tǒng)構(gòu)造圖
圖4:刻蝕過程反應(yīng)原理圖?(a).經(jīng)過一次循環(huán)鈍化的步驟;(b).經(jīng)過一次循環(huán)刻蝕的步驟;(c).經(jīng)歷四次循環(huán)刻蝕后的輪廓;(d).參與反應(yīng)過程的詳細(xì)化學(xué)方程式。
單晶硅以外的許多材料也可以通過等離子刻蝕方法進(jìn)行處理,比如:多晶硅、氮化硅(SiNx)、氧化硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體、金屬、硅化物和聚合物等。處理不同的材料用到的反應(yīng)氣體也不一樣,也可以用個(gè)混合氣體來得到特定的刻蝕選擇比。表2是不同材料所用到的反應(yīng)氣體。
表2:等離子刻蝕中不同材料所用到的反應(yīng)氣體
四、等離子刻蝕的應(yīng)用案例
等離子刻蝕主要應(yīng)用在微電子制作工藝中,所有主要的處理對象是硅,用于精確圖形轉(zhuǎn)移。此外其還廣泛應(yīng)用于等離子刻蝕平板、薄膜刻蝕以及纖維刻蝕中。
1.精確圖形轉(zhuǎn)移
在微電子制造工藝中,光刻圖形必須最終轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成器件的各薄膜層上,這種圖形的轉(zhuǎn)移是采用刻蝕工藝完成的。但是濕法刻蝕的寬度局限于3μm以上,因此要實(shí)現(xiàn)超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中的微細(xì)圖形高保真地從光刻模板轉(zhuǎn)移到硅片上不可替代的工藝只能采用等離子刻蝕。
在等離子刻蝕工藝中,首先是在把硅晶片上面涂抹一層光敏物質(zhì),并在光敏物質(zhì)上蓋上具有一定圖形的金屬模板。然后進(jìn)行紫外曝光,使部分晶片的表面裸露出來,接著再把這種待加工的硅晶片放置到具有化學(xué)活性的低溫等離子中,進(jìn)行等離子刻蝕。這種具有化學(xué)活性的等離子一般采用氯氣或碳氟氣體電離產(chǎn)生,含有電子和離子和其他活性自由基(如?Cl、?Cl2、?F、?CF等)。這些活性基團(tuán)沉積到裸露的硅晶片上時(shí),與硅原子反應(yīng)生成揮發(fā)性的氯化硅或氟化硅分子,從而對晶片進(jìn)行各向異性刻蝕。另一方面,為了控制轟擊到晶片上離子的能量分布和角度分布,還通常將晶片放置在一個(gè)施加射頻或脈沖偏壓的電極上面,在晶片的上方將形成一個(gè)非電中性的等離子區(qū),即鞘層-等離子中的離子在鞘層電場的作用下,轟擊到裸露的晶片表面上,并與表面層的硅原子進(jìn)行撞,使其濺射出來,從而實(shí)現(xiàn)對晶片的各向異性刻蝕。目前在一些發(fā)達(dá)國家的實(shí)驗(yàn)室里,刻蝕線寬已經(jīng)突破0.1μm,并開始考慮挑戰(zhàn)納米芯片的加工技術(shù)。
2.等離子刻蝕平板
兩個(gè)大小和位置對稱的平行金屬板作為等離子發(fā)生的電極,平板放置于接地的陰極上面,RF信號(hào)加在反應(yīng)器的上電極。由于等離子電勢總是高于地電勢,因而是一種帶能離子進(jìn)行轟擊的等離子刻蝕模式,進(jìn)行各向異性刻蝕,可得幾乎垂直的側(cè)邊。另外,旋轉(zhuǎn)晶圓盤可增加刻蝕的均勻性。該系統(tǒng)可設(shè)計(jì)成批量和單個(gè)晶圓反應(yīng)室,可對刻蝕參數(shù)精密控制,以得到均勻刻蝕。
3.薄膜刻蝕
刻蝕技術(shù)是電子信息領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)薄膜的微圖形化的關(guān)鍵技術(shù)之一。為了提高芯片的集成度,要求鐵電薄膜的圖形線寬在微米或亞微米量級(jí),目前多采用高密度等離子刻蝕方法,刻蝕后能夠形成很好的刻蝕剖面,且具有較高的刻蝕速度。
4.纖維刻蝕
等離子對纖維材料的轟擊作用不但可以顯示出纖維表層和內(nèi)部的結(jié)構(gòu)特征,而且可以滲入使表層分子活化,使纖維得以改性。如吸濕性較差的化學(xué)纖維,經(jīng)過等離子刻蝕處理,吸濕性變得優(yōu)良。羊毛纖維的差微摩擦效應(yīng)易于引起織物的氈縮,刻蝕處理后,防粘縮性提高;某些纖維原成紗性較差,刻蝕改性后,其可紡性和紗線強(qiáng)力提高。
圖5:POM聚合物材料等離子刻蝕前后的SEM圖
此外,等離子刻蝕也可以應(yīng)用于聚合物的刻蝕,圖5展示了等離子刻蝕POM聚合物材料前后的SEM圖。經(jīng)過等離子刻蝕后,POM聚合物的表面變得蓬松多孔,大大的增加了比表面積。
在微加工工藝中,等離子技術(shù)也會(huì)導(dǎo)致一些負(fù)面的問題。器件損傷就是等離子刻蝕中的前沿問題之一,其他的前沿問題還有塵埃污染,離子遲滯和微負(fù)荷效應(yīng)、小介電常數(shù)的電介質(zhì)和靜電夾頭等。在等離子加工中,由于高能量離子、電子和光子轟擊,在器件中引起缺陷,非定域晶格、懸空鍵等,改變了器件的機(jī)械和電性能,這種效應(yīng)稱為器件損傷。因此,在使用等離子刻蝕是需要注意這方面給器件帶來的不良影響。
五、利用等離子清洗對材料表面進(jìn)行改性
等離子刻蝕一般應(yīng)用于對器件或材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)化處理,等離子刻蝕機(jī)就是實(shí)現(xiàn)這種功能的儀器。此外,科研領(lǐng)域甚至工業(yè)領(lǐng)域也常利用等離子對材料表面進(jìn)行清洗來改變材料表面性能,相對應(yīng)的儀器叫做等離子清洗機(jī)。作為材料領(lǐng)域的搬運(yùn)工,我們對等離子刻蝕機(jī)所了解的可能不多,而對等離子清洗機(jī)則較為熟悉。事實(shí)上,等離子刻蝕機(jī)和等離子清洗機(jī)工作原理沒有區(qū)別,只是應(yīng)用的側(cè)重點(diǎn)不一樣而已。等離子刻蝕機(jī)一般應(yīng)用于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域,而等離子清洗機(jī)則一般應(yīng)用于材料領(lǐng)域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學(xué)。因此能改變材料的表面性質(zhì)。例如,大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如 聚苯乙烯, 聚乙烯)表面產(chǎn)生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性(水接觸角小于30度),并增加表面潤濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學(xué)(表面性質(zhì)),如硅、不銹鋼及玻璃。
用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料,材料的表面形態(tài)發(fā)生顯著的變化,引入了多種含氧基團(tuán),使表面由非極性、難粘性轉(zhuǎn)為有一定極性、易黏性和親水性,有利于粘結(jié)、涂覆和印刷。
等離子體刻蝕技術(shù)具體應(yīng)用
其一,在制備薄膜太陽能電池中,我們需要對基片(如:硅片、ITO、FTO玻璃)等進(jìn)行清洗。一般的清洗方法是用超聲清洗機(jī),如果我們對清洗的結(jié)果不太滿意,我們則可以繼續(xù)選擇等離子體清洗機(jī)對基片進(jìn)行清洗,這樣清洗的會(huì)比較徹底。這是在清洗方面的應(yīng)用。
其二,在旋涂薄膜的時(shí)候,有些基片可能親水性不好,溶液與基片的接觸角太大導(dǎo)致薄膜很難旋涂上去。這時(shí),我們也可以對基片進(jìn)行等離子體處理,來增加基片表面的親水性,讓溶液能夠很好的分散在基片上,進(jìn)而使薄膜能夠旋涂在基底上。