等離子清洗機(jī)去除wafer鍵合膠光刻膠的原理以及應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展,LED行業(yè)對(duì)環(huán)保、性能等要求也越來越高。在LED行業(yè)里面,晶圓是整個(gè)LED的重要組成部分,晶圓光刻膠的去除是LED整個(gè)部件最為重要的技術(shù)部分。也是LED技術(shù)的關(guān)鍵所在

提到晶圓,就會(huì)講到光刻膠,講到蝕刻。晶圓光刻膠是一種有機(jī)化合物膠水,在光尤其是紫外線光的照射下,在顯影液中的溶解度會(huì)凝結(jié)。曝光后烘烤成固態(tài)。

等離子去除光刻膠流程工藝

整個(gè)光刻的過程是這樣的,使用的時(shí)候,wafer(晶圓)被裝到一個(gè)每分鐘能轉(zhuǎn)幾千轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤上。幾滴光刻膠溶液就被滴到旋轉(zhuǎn)中的wafer的中心,離心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻膠溶液黏著在wafer上形成一層均勻的薄膜。多余的溶液從旋轉(zhuǎn)中的wafer上被甩掉。薄膜在幾秒鐘之內(nèi)就縮到它最終的厚度,溶劑很快就蒸發(fā)掉了,wafer上就留下了一薄層光刻膠。最后通過烘焙去掉最后剩下的溶劑并使光刻膠變硬以便后續(xù)處理。鍍過膜的wafer對(duì)特定波成的光線很敏感,特別是紫外(UV)線。相對(duì)來說他們?nèi)耘f對(duì)其他波長(zhǎng)的,包括紅,橙和黃光不太敏感。所以大多數(shù)光刻車間有特殊的黃光系統(tǒng)。

工藝流程中去膠清洗時(shí)去除光刻膠

光刻膠又稱光致抗蝕劑,由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋。感光樹脂經(jīng)光照后,在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng),使得光刻膠的物理性能,特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。有紫外線光照射的地方迅速凝結(jié)成固態(tài)等離子清洗在晶圓方面的應(yīng)用

光刻膠通過曝光、顯影和刻蝕等方式在每一層結(jié)構(gòu)面上形成所需要的圖案。在進(jìn)行后一層處理時(shí),需要將前一次使用后的光刻膠完全去除。

由預(yù)先定義好的圖形把不要的局域去除,保留要留下的區(qū)域,將圖形轉(zhuǎn)移到所選定的圖上的過程需要等離子處理。

等離子處理有以下優(yōu)點(diǎn):獲得滿意的剖面,鉆孔小,選對(duì)表面和電路的損傷小,清潔、經(jīng)濟(jì)、安全。擇比大,刻蝕均勻性好重復(fù)性高。處理過程中不會(huì)引入污染,潔凈度高。

等離子清洗機(jī)在去除光刻膠方面的具體使用:

等離子清洗機(jī)的應(yīng)用包括預(yù)處理、灰化/光刻膠/聚合物剝離、晶圓凸點(diǎn)、消除靜電、介電質(zhì)刻蝕、有機(jī)污染去除、晶圓減壓等。使用等離子清洗機(jī),不僅能徹底清除光刻膠等有機(jī)物,還能活化加粗晶圓表面,提高晶圓表面的浸潤(rùn)性,使晶圓表面更加具有粘接力。

晶圓光刻蝕膠等離子清洗機(jī)與傳統(tǒng)設(shè)備相比較,有很多優(yōu)勢(shì),設(shè)備成本不高,加上清洗過程氣固相干式反應(yīng),不消耗水資源,不需要使用價(jià)格較為昂貴的有機(jī)溶劑,這使得整體成本要低于傳統(tǒng)的濕法清洗工藝。此外,它解決了濕法去除晶圓表面光刻膠反應(yīng)不準(zhǔn)確、清洗不徹底、易引入雜質(zhì)等缺點(diǎn)。不需要有機(jī)溶劑,對(duì)環(huán)境也沒有污染,屬于低成本的綠色清洗方式

作為干法清洗等離子清洗機(jī)可控性強(qiáng),一致性好,不僅徹底去除光刻膠有機(jī)物,而且還活化和粗化晶圓表面,提高晶圓表面浸潤(rùn)性

晶圓清潔-等離子清洗機(jī)用于在晶圓凸點(diǎn)工藝前去除污染,還可以去除有機(jī)污染、去除氟和其它鹵素污染、去除金屬和金屬氧化。

晶圓蝕刻-等離子清洗機(jī)預(yù)處理晶圓的殘留光刻膠和BCB,重新分配圖形介電層、線/光刻膠蝕刻,提高晶圓材料表面的附著力,去除多馀的塑料密封材料/環(huán)氧樹脂,還有其它的有機(jī)污染物,提高金焊料凸點(diǎn)的附著力,減少晶圓壓力破碎,提高旋轉(zhuǎn)涂膜的附著力